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【“创源”大讲堂开讲】企业专家深度解析碳化硅功率半导体发展与产业化应用

来源: 日期:2026/05/13 17:22:59点击数:

为拓宽研究生学术视野,搭建产学研交流桥梁,助力学生把握半导体行业前沿动态,2026年5月7日,集成电路科学与工程学院特邀强华时代(成都)科技有限公司黄孝兵高级工程师,作题为“碳化硅(SiC)功率半导体器件发展及产业化应用”的专题学术讲座。集成电路科学与工程学院、电气工程学院、智慧城市与交通学院的研究生齐聚现场,认真聆听讲座并参与交流探讨。

黄孝兵高级工程师深耕SiC功率半导体领域多年,兼具扎实的技术积累与丰富的产业实践经验,对行业发展趋势、市场格局有着深刻的研判。

讲座中,黄孝兵梳理了SiC功率器件从实验室研发到全球产业化落地的发展历程,详解SiC材料的核心特性与产业价值。作为第三代宽禁带半导体核心材料,SiC相较传统硅基半导体,具备耐压高、速度快、损耗低、耐高温、导热性优的突出优势,可广泛应用于新能源、算力、智能电网等高端领域,是功率电子领域的关键核心材料。

针对全球SiC功率器件行业竞争格局,黄孝兵总结了企业发展的四大核心竞争力:一是突破8英寸、12英寸大尺寸晶圆稳定量产与高良率技术,夯实成本优势;二是攻坚先进封装与器件结构技术,构筑技术壁垒;三是取得AEC-Q101车规认证,打通车企供应链通道;四是深化与下游终端企业联合开发,实现生态协同、锁定长期订单。

讲座最后,黄孝兵分析了行业技术攻坚、成本管控、产业链协同等现存挑战,结合政策扶持、产业扩容、技术迭代等发展机遇,为在场研究生的科研方向与就业规划提供了专业、贴合行业实际的指导建议。

此次讲座内容充实、逻辑清晰、视野开阔。黄孝兵的精彩分享,有效帮助师生厘清了学术研究与产业应用的衔接路径,对助力学生夯实专业基础、明晰发展方向有重要指导意义,更进一步激发了广大师生投身交叉学科研究与创新的热情,也为学院培育相关领域优质创新型、应用型人才注入了新动能。

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